Primelite为掩模对准器系统中的UV-LED曝光提供了几种解决方案。
半导体、微机电系统、LED、功率器件和微流体工业的后端光刻应用中采用了多种掩模对准器系统。越来越多的先进封装技术，如晶圆级芯片规模封装（WLCSP）、扇出晶圆级封装（FOWLP）、倒片封装、3D-IC/硅通孔（TSV）、凸块封装和2.5D封装中介层（Interposer）、促进了不断集成的微结构的制造。
手动、半自动和全自动掩模对准器系统可以满足任何生产环境的要求：从小批量的研发设置到批量生产。 Primelite的UV-LED光刻产品(ALE/1 和 ALE/1C) 已成功集成到广泛的光刻机系统中、取代了200W、350W、500W和1kW的汞弧灯。
经验证、采用我们的UV-LED光引擎的掩模对准器可以在软/硬/真空接触以及近距离曝光应用中可以产生很好的结果；在4英寸、6英寸和8英寸的基板上可以保证光源的均匀性和准直性能（<2°）而且其分辨率可达0.7µm。我们的UV-LED解决方案使用寿命长、输出稳定性增强、且无需预热或冷却、因此能够以最低的拥有成本、提供卓越的吞吐量性能。
全功率宽频带
许多光刻应用依赖于宽频带曝光、包括i线、h线和g线（365/405/435nm）辐射。我们设计了ALE/1 UV-LED光源、以提供非常相似的光谱输出。这样、在将现有的光刻工艺升级到UV-LED曝光时、所需的调整较少。除了宽频带UV-LED曝光装置、我们还提供单峰波长（365nm）或双峰波长（365/405nm和405/435nm）的配置。
晶片上的曝光强度
The ALE/1C can provide intensities of up to 100 mW/cm² on 150 mm and 60 mW/cm² on 200 mm wafers.
| 晶片 | 150 mm / 6” | 200 mm / 8” | ||
| 曝光面积 | 230 cm² | 380 cm² | ||
| 光谱 | 宽频带 | i线 | 宽频带 | i线 |
表面辐射、mW/cm² | ||||
| ALE/1C* | 100 | 45 | 60 | 27 |
汞弧灯 | ||||
| 350W型 | 30 | 15 | 18 | 10 |
| 500W型 | 45 | 22 | 27 | 13 |
| 1000W型 | 90 | 44 | 55 | 27 |
| *无需外部冷却的标准版 | ||||
将ALE/1和ALE/1C集成到 掩模对准器设置中
我们的UV-LED曝光解决方案取代了基于汞放电灯技术的传统光源。有两种不同的设计可供选择：
这两种系统都可以定制、以完美匹配您的掩模对准器。此外、也可以进行改装、即替换现有系统中的传统光源。
亮点——为什么ALE / 1和ALE / 1C专为掩模对准器而设计
- 单点UV-LED光源、易于集成
- 辐射输出稳定、精确、一致、强度高
- i线，h线和g线（350-450nm）的灵活多光谱覆盖，无需过滤器
- UV-LED技术的使用寿命长且具有总拥有成本优势
- 与放电灯不同、操作安全性得到改进
- 无需大量的冷却（例如、没有氮气或CDA）
- 不需要机械快门（切换时间快速、低于1毫秒）